Mesure de déformation d'un réseau cristallin en microscopie en microscopie électronique à transmission  

N. CHERKASHIN, M. KORYTOV, F. HOUDELLIER, et MJ. HŸTCH
CEMES-CNRS et Université de Toulouse
nikolay.cherkashin@cemes.fr

L’ingénierie de la contrainte à l’échelle nanométrique est une tendance moderne dans l’industrie des semi-conducteurs et la technologie. Le confinement des porteurs de charge pour l’application laser, l’accélération de la mobilité des charges dans un canal de transistor, le phénomène de la précipitation constituent une gamme d‘applications pour lesquelles des mesures locales de la déformation sont nécessaires.
C’est dans ce domaine où la microscopie électronique à transmission (MET) propose des opportunités uniques et quelques méthodes de mesures de déformation locale dans une matrice cristalline ont été inventées et développées. Nous allons introduire brièvement les principes de plusieurs techniques basées sur la MET et permettant d’extraire la déformation locale dans des structures cristallines telles que la diffraction d'électrons par faisceau convergent ; « peak finding », la technique basée sur la localisation des pics d’intensité de l’image en haut résolution ; l’analyse des phases géométrique et l’holographie électronique en champ sombre.
Nous allons discuter chaque technique du point de vue de leur résolution spatiale, leur précision et leur champ de vue. Nous allons introduire quelques nouvelles extensions de l’application de ces techniques avec le but d’améliorer soit leurs précisions soit leurs résolutions spatiales. La description des techniques sera illustrée par plusieurs exemples y compris des couches minces, des boucles de dislocations et des îlots tridimensionnels.