Investigation de la compétition de grains et de la formation des défauts cristallins pendant la croissance du silicium par des méthodes in situ de diffraction X couplées à des méthodes complémentaires de microscopie électronique par EBSD (Electron Backscattered Diffraction).

Nathalie MANGELINCK

Aix Marseille Université - Laboratoire IM2NP
nathalie.mangelinck@im2np.fr

Toutes les techniques de fabrication du silicium cristallin pour les applications photovoltaïques partagent des défis qui concernent : le contrôle de la structure de grains finale, la diminution de la densité de défauts structuraux (dislocations) et le contrôle des impuretés.

Nous présentons ici des travaux expérimentaux qui permettent de caractériser les mécanismes fondamentaux de la croissance du silicium par imagerie X in situ pendant la solidification.

Ces résultats sont couplés à des analyses complémentaires ex situ par EBSD afin de mieux comprendre les phénomènes qui entrent en jeu dans l’établissement de la structure de grains et dans la dynamique de formation des défauts cristallins.