Etapes d’usinage FIB d’un semiconducteur nitrure III-V pour l’obtention de lames MET en section transverse et en section plane  

Marie-Pierre CHAUVAT
CIMAP Ensicaen

La caractérisation d’un matériau par MET requiert d’en extraire une lame très mince (de l’ordre d’une centaine de nanomètres). Le MEB-FIB est un outil idéal pour l’obtention de ces lames dont la localisation peut, par ailleurs, être définie de manière extrêmement précise.

On abordera ici, de façon technique, sur des semi-conducteurs nitrure III-V, les différentes étapes nécessaires pour obtenir des lames en coupe transversale (perpendiculaire à la surface), essentielles pour une première caractérisation.
Le cas des sections planes (lame parallèle à la surface ou à une interface) est, lui aussi, développé car les informations apportées sont complémentaires et parfois essentielles à la compréhension de certains aspects du matériau étudié.

Le semi-conducteur nitrure III-V est épitaxié sur substrat tel que saphir, carbure de silicium ou silicium.